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實驗室環(huán)境

實驗室環(huán)境

按照IPC J-STD-033B和MIL-D-3464E的相關標準要求,對實驗室環(huán)境的溫度和濕度進行了嚴格管控;按照JEDECJS-001-2017的標準,從地板到貨架、從測試臺到工作臺,從拆包到檢驗等區(qū)域和過程均做了防靜電措施,保證良好的防靜電環(huán)境條件。

實驗室依據(jù)&標準:AS6081、IDEA-STD-1010-B、IPC-A-610D等

質量保證

ISO 9001:2015
職業(yè)健康安全管理體系證書
環(huán)境管理體系認證證書
質量管理體系認證證書

檢測設備

  • x-ray平臺
  • De-cap平臺
  • 金相顯微鏡
  • 高倍數(shù)字顯微鏡
  • Iv Curve Tracer
  • 可焊性測試錫爐
  • X-ray平臺概述

    此設備具有超大的載物測試平臺,可以多角度進行傾斜,觀察和探測拍照,精度高達3UM。用于IQC進料無損檢及FA失效分析,可以比對標準樣品,檢測WAFER, BONDING和 LEADFRAME等內(nèi)部結構。

  • De-cap 平臺

    多段式可調激光設置,激光功率10w(可調),開封深度:0.01mm -30mm,對半導體產(chǎn)品進行快速開蓋分析,以觀察內(nèi)部 Wafer的結構、Logo、形狀和版本, Bonding引出位置和材質,確定物料真?zhèn)?,同時也可在失效分析中觀察Wafer損傷異常。

  • 金相顯微鏡

    多光源對物料進行360度觀察,放大倍數(shù)可以達到1000倍用于QC進料全外觀、絲印,定位孔進行檢測,判定物料是否為翻新。

  • 高倍數(shù)字顯微鏡

    用于器件失效分析、 Decap輔助觀測、等可100-1000倍連續(xù)自動變焦,鏡頭可傾斜至180度來觀察 Wafer內(nèi)部結構和異常,超大景深和深度3D模型合成,并可以進行遠程測量各個位置尺寸和高度。

  • IV Curve Tracer

    用于半導體失效分析,包括開路/短路檢測,八曲線示蹤分析,漏電檢測等,可以幫助客戶快速定位失效位置,查找失效原因。

  • 可焊性測試錫爐

    按照JESD22-B102solderability可焊性標準,對各種插件、貼片封裝的器件進行可焊性測試。

檢驗項目和費用

檢驗項目和費用

1.外觀檢測

2.可焊性測試

3.X-RAY (真?zhèn)螜z測和失效分析)

4.DE-CAP(真?zhèn)螜z測和失效分析)

5.IV CURVE TRACER(靜態(tài)電性參數(shù)分析和失效分析)

6.阻容感參數(shù)測試

分析案例

1.外觀檢測:翻新料
2.Xray檢測:Bonding鍵合異常
3.X-ray檢測:氣泡檢測
4.可焊性:引腳拒焊,可焊性NG
5.Decap:XILINX正品,上機燒毀

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